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Gedächtnis IC-Chip

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Gedächtnis IC-Chip

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China Veralteter Teil-Status-Gedächtnis IC-Chip BLITZ - NOCH Gedächtnis breite Temp-Strecke W25Q16BVSSIG usine

Veralteter Teil-Status-Gedächtnis IC-Chip BLITZ - NOCH Gedächtnis breite Temp-Strecke W25Q16BVSSIG

W25Q16BVSSIG-Gedächtnis IC-Chip BLITZ - NOCH Gedächtnis IC 16Mb (2M x 8) SPI 104MHz 8-SOIC Kategorien Integrierte Schaltungen (ICs) Gedächtnis Hersteller Winbond-Elektronik Reihe SpiFlash® Verpacken Rohr Teil... Read More
2018-06-08 11:03:37
China der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE usine

der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE

Ähnlichkeit 70ns 48-TSOP SST39VF6401B-70-4I-EKE Gedächtnis IC-Chip-Flash-Speicher ICs 64Mb (4M x 16) EIGENSCHAFTEN: 64 Mbit (x16) Vielzweckblitz plus SST39VF6401B/SST39VF6402B • Organisiert als 4M x16 • ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Schreibzyklus-Zeit W25Q16JVSSIQ 133MHz Taktfrequenz-Gedächtnis IC-Chip-3ms usine

Schreibzyklus-Zeit W25Q16JVSSIQ 133MHz Taktfrequenz-Gedächtnis IC-Chip-3ms

W25Q16JVSSIQ-Gedächtnis IC-Chip BLITZ - NOCH Gedächtnis IC 16Mb (2M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. ALLGEMEINE BESCHREIBUNG Die Serienflash-speicher W25Q80 (8M-bit), W25Q16 (16M-bit) und W25Q32 (32M-bit) versehen ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Hochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs usine

Hochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs

W25Q64JVSSIQ-Gedächtnis IC-Chip BLITZ - NOCH Gedächtnis IC 64Mb (8M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC 1. ALLGEMEINE BESCHREIBUNGDer Serienflash-speicher W25Q64BV (64M-bit) versieht eine Speicherlösung für Systeme mit ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Gedächtnis 24LC04B-I/SN IC-Chip-nicht flüchtiges Gedächtnis-Art aktiver Teil-Status usine

Gedächtnis 24LC04B-I/SN IC-Chip-nicht flüchtiges Gedächtnis-Art aktiver Teil-Status

Gedächtnis Gedächtnis 24LC04B-I/SN IC-Chip-EEPROM IC 4Kb (256 x 8 x 2) i-² C 400kHz 900ns 8-SOIC Gerät-Auswahl-Tabelle Anmerkung 1: 100 kHz für VCC Eigenschaften: • Sondern Sie Versorgung mit Operation unten ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Technologie-Hardware-Schreibschutz 24LC16B-I/SN der codierten Karte 400kHz 900ns IC EEPROM usine

Technologie-Hardware-Schreibschutz 24LC16B-I/SN der codierten Karte 400kHz 900ns IC EEPROM

Gedächtnis IC 16Kb (² C 400kHz 900ns 8-SOIC Gedächtnis 24LC16B-I/SN IC-Chip-EEPROM 2K x 8) I Gerät-Auswahl-Tabelle Teilnummer VCC Strecke Max. Taktfrequenz Temp. Strecken 24AA16 1.7-5.5 400 kHz (1) I 24LC16B 2... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Zugriffzeit-geringen Energie der Gedächtnis 8-PDIP IC-Chip-900ns CMOS-Technologie 24LC64-I/P usine

Zugriffzeit-geringen Energie der Gedächtnis 8-PDIP IC-Chip-900ns CMOS-Technologie 24LC64-I/P

Gedächtnis IC 64Kb (² C 400kHz 900ns 8-PDIP Gedächtnis 24LC64-I/P IC-Chip-EEPROM 8K x 8) I Gerät-Auswahl-Tabelle Teilnummer VCC Strecke Maximale Taktfrequenz Temp-Strecken 24AA64 1.8-5.5 400 kHz (1) I 24LC64 2... Read More
2018-06-08 11:03:37
China SRAM - Asynchrone Ausrüstung der integrierten Schaltung, Brett IS61LV25616AL-10TL der Gedächtnis-integrierten Schaltung usine

SRAM - Asynchrone Ausrüstung der integrierten Schaltung, Brett IS61LV25616AL-10TL der Gedächtnis-integrierten Schaltung

IS61LV25616AL-10TL Gedächtnis IC-Chip SRAM - asynchrone Ähnlichkeit 10ns 44-TSOP II Gedächtnis ICs 4Mb (256K x 16) 256K x 16 ASYNCHRONER HOCHGESCHWINDIGKEITSCMOS STATISCHES RAM MIT VERSORGUNG 3.3V DEZEMBER ... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Parallelspeicher 4Mb IC-Chip-niedrige Reserveleistung 7mW CMOS Bereitschafts-IS61WV25616BLL-10TLI usine

Parallelspeicher 4Mb IC-Chip-niedrige Reserveleistung 7mW CMOS Bereitschafts-IS61WV25616BLL-10TLI

IS61WV25616BLL-10TLI Gedächtnis IC-Chip SRAM - asynchrone Ähnlichkeit 10ns 44-TSOP II Gedächtnis ICs 4Mb (256K x 16) EIGENSCHAFTEN HOHE GESCHWINDIGKEIT: (IS61/64WV25616ALL/BLL) • Hochgeschwindigkeitszugriffzei... Read More
2018-06-08 11:03:37
China Gedächtnis-Elektronik-integrierte Schaltungen, allgemeines IC bricht IS61WV51216BLL-10TLI ab usine

Gedächtnis-Elektronik-integrierte Schaltungen, allgemeines IC bricht IS61WV51216BLL-10TLI ab

IS61WV51216BLL-10TLI Gedächtnis IC-Chip SRAM - asynchrone Ähnlichkeit 10ns 44-TSOP II Gedächtnis ICs 8Mb (512K x 16) 512K x 16 HOCHGESCHWINDIGKEITSASYNCHRONE CMOS STATISCHES RAM MIT 3.3V VERSORGUNG OKTOBER ... Read More
2018-06-08 11:03:37
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