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Hochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs

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Hochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs

China Hochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs fournisseur

Großes Bild :  Hochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: Rosh
Modellnummer: W25Q64JVSSIQ

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Gedächtnis-Art: Permanent
Gedächtnisformat: Blitz Technology: BLITZ - NOCH
Speichergröße: 64Mb (8M x 8) Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite: 3ms Gedächtnisschnittstelle: SPI

 
W25Q64JVSSIQ-Gedächtnis IC-Chip BLITZ - NOCH Gedächtnis IC 64Mb (8M x 8) SPI 133MHz 8-SOIC
 

1. ALLGEMEINE BESCHREIBUNG

Der Serienflash-speicher W25Q64BV (64M-bit) versieht eine Speicherlösung für Systeme mit begrenztem Raum, Stiften und Energie. Die Reihe 25Q bietet Flexibilität und Leistung weit über gewöhnlichen grellen serienmäßiggeräten an. Sie sind für den Code ideal, der zu RAM beschattet, Code direkt von Doppel-/vom Viererkabel SPI (XIP) durchführt und Stimme, Text und Daten, der speichert. Die Geräte lassen an ein einzelnes 2.7V zur Stromversorgung 3.6V mit Stromaufnahme so niedrig wie Active 4mA und 1µA für Abschaltung laufen. Alle Geräte werden in den Raumersparnispaketen angeboten.

Die W25Q64BV-Reihe wird in 32.768 programmierbare Seiten von 256 Bytes pro Stück organisiert. Bis 256 Bytes können auf einmal programmiert werden. Seiten können in Gruppen von 16 (Sektorlöschen), in Gruppen von 128 (Löschen des Blockes 32KB), in Gruppen von 256 (Löschen des Blockes 64KB) oder in den gesamten Chip (Chiplöschen) gelöscht werden. Das W25Q64BV hat 2.048 löschbare Sektoren und 128 löschbare Blöcke beziehungsweise. Die kleinen Sektoren 4KB lassen größere Flexibilität in den Anwendungen zu, die Daten- und Parameterspeicher erfordern. (Sehen Sie Abbildung 2.)

Das W25Q64BV stützt die Standardserienzusatzschnittstelle (SPI) und eine Hochleistung, die Doppel- ist,/das ausgegebene Viererkabel sowie verdoppelt,/Viererkabel Input/Output SPI: Serienuhr, Signalsteuerung eines Bausteins, Seriendaten I/O0 (DI), I/O1 (TUN Sie), I/O2 (/WP) und I/O3 (/HOLD). SPI-Taktfrequenzen von bis zu 80MHz werden gestützt, gleichwertige Taktfrequenzen 160MHz für Doppelertrag erlaubend und 320MHz für Viererkabel gab, als aus, das schnelle gelesene Doppel verwendend/, viererverseilt Ausgabebefehle. Diese Übertragungsraten können asynchrone Standard8 und parallele 16-Bit-Flash-Speicher an Leistung übertreffen. Der ununterbrochene gelesene Modus darf leistungsfähigen Speicherzugriff mit nur 8 Uhren Anweisungunkosten eine 24 Bitadresse lesen und erlaubt wahre Operation XIP (führen Sie an Ort und Stelle durch).

Ein Griffstift, ein Schreibschutzstift und ein programmierbarer Schreibschutz, mit Spitzen- oder Unterseitenreihensteuerung, liefert weitere Steuerflexibilität. Zusätzlich stützt das Gerät JEDEC-Standardhersteller- und -gerätekennung mit einer einzigartigen 64-Bit-Seriennummer.
 

2. EIGENSCHAFTEN

 

· Familie von SpiFlash-Gedächtnissen

– W25Q64BV: 64M-bit/8M-byte (8.388.608)

– 256 Bytes pro programmierbare Seite

· Standard-, Doppel- oder Viererkabel SPI

– Standard-SPI: CLK, /CS, DI, TUN, /WP, /Hold

– Doppel-SPI: CLK, /CS, IO0, IO1,/WP,/Hold

– Viererkabel SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3

· Höchste Leistungs-Serien-Blitz

– Bis zu 6X das vom gewöhnlichen Serienblitz

– 80MHz Taktoperation

– 160MHz gleichwertiges Doppel-SPI

– 320MHz gleichwertiges Viererkabel SPI

– Ununterbrochene Datentransferrate 40MB/S

· Leistungsfähiger „ununterbrochener gelesener Modus“

– Niedrige Anweisung obenliegend

– Nur 8 Uhren, zum des Gedächtnisses zu adressieren

– Erlaubt wahre Operation XIP (führen Sie an Ort und Stelle durch)

– Übertrifft Blitz-Anmerkung 1 der Ähnlichkeits-X16 an Leistung: Treten Sie mit Winbond für Details in Verbindung

· Geringe Energie, breite Temperaturspanne

– Sondern Sie 2,7 zur Versorgung 3.6V aus

– Wirkstrom 4mA, <1>

– -40°C zum +85°C-Betriebsbereich

· Flexible Architektur mit Sektoren 4KB

– Einheitliches Sektor-Löschen (4K-bytes)

– Block-Löschen (32K und 64K-bytes)

– Programm eine bis 256 Bytes

– Mehr als 100.000 Löschen/Schreibzyklen

– Mehr als 20-jähriges Datenzurückhalten

· Moderne Sicherheitsmerkmale

– Software-und Hardware-Schreibschutz

– Spitzen- oder Unterseiten-, Sektor- oder Blockauswahl

– Sperre und OTP-Schutz(1)

– einzigartige 64-Bit-Identifikation für jedes Gerät(1)

· Raum-leistungsfähiges Verpacken

– 8 Stift SOIC 208 Mil

– 8 Stift PDIP 300 Mil

– 8 Auflage WSON 8x6-Millimeter

– 16 Stift SOIC 300 Mil

– Kontakt Winbond für KGD und andere WahlenHochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICsHochleistungs-Gedächtnis IC-Leiterplatte-Chips, elektrische Komponente W25Q64JVSSIQ ICs

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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