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der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE

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der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE

China der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE fournisseur

Großes Bild :  der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: Rosh
Modellnummer: SST39VF6401B-70-4I-EKE

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Gedächtnis-Art: Permanent
Gedächtnisformat: Blitz Technology: Blitz
Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite: 10µs
Zugriffzeit: 70ns Gedächtnisschnittstelle: Ähnlichkeit

 

Ähnlichkeit 70ns 48-TSOP SST39VF6401B-70-4I-EKE Gedächtnis IC-Chip-Flash-Speicher ICs 64Mb (4M x 16)

 

EIGENSCHAFTEN:

64 Mbit (x16) Vielzweckblitz plus

der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKESST39VF6401B/SST39VF6402B

Organisiert als 4M x16

Einzelne Spannung las und schreibt Operationen

– 2.7-3.6V

Überlegene Zuverlässigkeit

– Ausdauer: 100.000 Zyklen (typisch)

– Größer als 100 Jahre Daten-Zurückhalten

Leistungsaufnahme der geringen Energie (typische Werte bei 5 MHZ)

– Wirkstrom: 9 MA (typisch)

– Bereitschaftsstrom: µA 3 (typisch)

– Selbstmodus der geringen Energie: µA 3 (typisch)

Input Pin der Hardware-Block-Protection/WP#

– Spitzenblock-schutz (Spitze 32 KWord) für SST39VF6402B

– Unterer Block-Schutz (Unterseite 32 KWord) für SST39VF6401B

Sektor-Löschen-Fähigkeit

– Uniform 2 KWord-Sektoren

Block-Löschen-Fähigkeit

– Uniform 32 KWord-Blöcke

Chip-Löschen-Fähigkeit

Löschen-verschieben Sie/Löschen-Zusammenfassungs-Fähigkeiten

Hardware-Zurückstellen Pin (RST#)

Eigenschaft Sicherheit-Identifikation

– SST: 128 Bits; Benutzer: 128 Bits

Fasten Lesezugriff-Zeit:

– 70 ns

– 90 ns

Verriegelte Adresse und Daten

Fasten Löschen und Wort-Programm:

– Sektor-Löschen-Zeit: Frau 18 (typisch)

– Block-Löschen-Zeit: Frau 18 (typisch)

– Chip-Löschen-Zeit: Frau 40 (typisch)

– Wort-Programm-Zeit: 7 µs (typisch)

Automatisch schreiben Sie TIMING

– Interne Generation Vpp.

Ende-von-schreiben Sie Entdeckung

– Schalten Sie Stückchen um

– Data#-Wahl

Cmos-Input-/Outputkompatibilität

JEDEC-Standard

– Grelle EEPROM-Steckerbelegungen

– Software-Befehlsfolgekompatibilität

- Adreßformat ist- 11 Bits, A10-0

- Block-Löschen-ist 6. Bus-Schreibzyklus 30H

- Sektor-Löschen-ist 6. Bus-Schreibzyklus 50H

Pakete verfügbar

– 48 Führung TSOP (12mm x 20mm)

– 48 Ball TFBGA (8mm x 10mm)

Alle (bleifreien) Geräte des Nichtpb sind konformes RoHS

 

 

der Größen-64Mb Parallelspeicher-Schnittstelle Flash-Speicher-des Chip-SST39VF6401B-70-4I-EKE

 

 

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Die SST39VF640xB-Geräte sind 4M x16 CMOS Vielzweckblitz plus (MPF+) hergestellt mit prietary SSTS pro-, leistungsstarker Technologie CMOS SuperFlash. Der Tunnelbauinjektor des Spaltetorzellentwurfs und -oxids erreichen bessere Zuverlässigkeit und das manufacturability, die mit abwechselnden Ansätze verglichen wird. Die SST39VF640xB schreiben (pro- Gramm oder Löschen) mit einer Stromversorgung 2.7-3.6V. Diese Geräte passen sich an JEDEC-Standardsteckerbelegungen für Gedächtnisse x16 an.

Hochleistung Wort-Programm kennzeichnend, liefern die SST39VF640xB-Geräte eine typische Wort-Programmzeit von µsec 7. Diese Geräte benutzen Toggle-Stückchen oder Data#-Abstimmung ing, um die Fertigstellung der Programmoperation anzuzeigen. Zum pro- tect gegen unbeabsichtigtes schreiben Sie, haben sie Aufchip Hardware und Software-Daten-Sicherungseinrichtung. Entworfen, werden manu- factured und auf ein breites Spektrum von Anwendungen geprüft, diese Geräte mit einem garantierten typischen endur- ance von 100.000 Zyklen angeboten. Datenzurückhalten ist an größer als 100 Jahren bewertet.

Die SST39VF640xB-Geräte werden für Anwendungen entsprochen, die die bequeme und wirtschaftliche Aktualisierung des Programms erfordern,

Konfiguration oder Datengedächtnis. Für alle Systemanwendungen verbessern sie erheblich Leistung und Zuverlässigkeit, bei der Senkung der Leistungsaufnahme. Sie in sich selbst verwenden weniger Energie während des Löschens und programmieren als alternative grelle Technologien. Die verbrauchte Gesamtenergie ist eine Funktion der angewandten Spannung, des Stroms und der Zeit der Anwendung. Da für jeden möglichen gegebenen Spannungsbereich, die SuperFlash-Technologie weniger gegenwärtig verwendet, um zu programmieren und eine kürzere Löschenzeit hat, ist die Gesamtenergie, die während irgendeiner Löschen- oder Programmoperation verbraucht wird, kleiner als alternative grelle Technologien. Diese Geräte verbessern auch Flexibilität bei der Senkung der Kosten für Programm, Daten und Konfigurationsspeicheranwendungen.

Die SuperFlash-Technologie liefert örtlich festgelegtes Löschen und pro- Grammzeiten, Unabhängigen der Anzahl von Löschen-/Programmzyklen, die aufgetreten sind. Deshalb muss die Systemsoftware oder die Hardware nicht geändert werden oder herabgesetzt werden, wie mit alternativen grellen Technologien notwendig ist, deren Löschen und Programmlaufzeiten mit angesammeltem Löschen/pro- Gramm Zyklus sich erhöhen.

Um High-density zu erfüllen, werden Oberflächenberganforderungen, die SST39VF640xB-Geräte 48 in Führung TSOP und in 48 Paketen des Balls TFBGA angeboten. Siehe Tabellen 1 und 2 für Steckerbelegungen.

 

Gerät-Operation

Befehle werden, die Speicheroperation Funktions-tions des Gerätes einzuleiten verwendet. Befehle werden zum Gerät unter Verwendung des Standardmikroprozessors schreiben Reihenfolgen geschrieben. Ein COM mand wird geschrieben, indem man erklärt WE#-Tief beim Halten von CE# niedrig. Der Adressbus wird auf dem fallenden Rand von WE# oder von CE# verriegelt, welches zuletzt auftritt. Der Datenbus wird auf der steigenden Flanke von WE# oder von CE# verriegelt, welches zuerst auftritt.

Die SST39VF640xB haben auch den Selbstmodus der geringen Energie, der das Gerät in eine nahe Bereitschaftsbetriebsart einsetzt, nachdem Daten mit einem gültigen Lesevorgang erreicht worden sind. Dieses verringert den IDDactive gelesenen Strom von gewöhnlich 9 MA auf µA gewöhnlich 3. Der Selbstmodus der geringen Energie verringert den typi- cal IDDactive gelesenen Strom auf der Strecke 2 mA/MHz der Lesezykluszeit. Das Gerät steigt den Selbstmodus der geringen Energie mit jedem möglichem Adreßübergang oder Steuersignalübergang aus, die verwendet werden, um einen anderen Lesezyklus, ohne Zugriffzeitstrafe einzuleiten. Merken Sie, dass das Gerät Selbst-niedrigen Machtmodus nicht nach Einschalten mit CE# niedrig ständig gehalten kommt, bis der erste Adreßübergang oder das CE# hoch gefahren ist.

 

Lesen Sie

Der Lesevorgang des SST39VF640xB wird durch CE# gesteuert und OE#, beide müssen niedrig sein, damit das System Daten von den Ertrag erhält. CE# wird für Gerätauswahl verwendet. Wenn CE# hoch ist, wird der Chip abgewählt und nur Reserveleistung wird verbraucht. OE# ist das Ertragbetrug trol und wird verwendet, um Daten von den Ertragstiften mit einem Gatter zu versehen. Der Datenbus ist im hochohmigen Zustand, wenn entweder CE# oder OE# hoch ist. Beziehen Sie sich das auf Diagramm der Lesezykluszeitlichen regelung für weitere Details (Tabelle 3).

 

Wort-Programm-Operation

Die SST39VF640xB werden auf einer Wort für Wort Basis programmiert. Vor der Programmierung muss der Sektor, in dem das Wort existiert, völlig gelöscht werden. Die Programmoperation wird in drei Schritten vollendet. Der erste Schritt ist die Dreibyte-Lastsreihenfolge für Software-Daten-Schutz. Der zweite Schritt ist, Wortadresse und Wortdaten zu laden. Während der Wort-Programmoperation werden die Adressen auf dem fallenden Rand entweder von CE# oder von WE# verriegelt, welches zuletzt auftritt. Die Daten werden auf der steigenden Flanke entweder von CE# oder von WE# verriegelt, welches zuerst auftritt. Der dritte Schritt ist die interne Programmoperation, die nach der steigenden Flanke des vierten WE# oder des CE# eingeleitet wird, welches zuerst auftritt. Die pro- Grammoperation, sobald eingeleitet, wird innerhalb 10 abgeschlossen

µs. Siehe Tabellen 4 und 5 für WE# und CE# pro- Kontrolldiagramme der Grammoperationszeitlichen regelung und Abbildung 19 für Flussdiagramme. Während der Programmoperation liest das einzige gültige sind Data#-Wahl und Kippstückchen. Während der internen pro- Grammoperation ist der Wirt frei, zusätzliche Aufgaben durchzuführen.

 

 

Alle mögliche Befehle, die während des internen Programmoper tion herausgegeben werden, werden ignoriert. Während der Befehlsfolge sollte WP# statisch gehaltenes Hoch oder niedrig sein.

 

Sektor-/Block-Löschen-Operation

Die Sektor-(oder Block) Löschenoperation lässt das System das Gerät auf einer (oder Block-durch Block) Basis löschen Sektor für Sektor. Der SST39VF640xB-Angebot Sektor-Löschen- und Block-Löschenmodus. Die Sektorarchitektur basiert auf einheitlicher Sektorgröße von 2 KWord. Der Block-Löschenmodus basiert auf einheitlicher Blockgröße von 32 KWord. Die Sektor-Löschenoperation wird durch die Durchführung einer Sechsbyte-COM mand Reihenfolge mit Sektor-Löschenbefehl (50H) und Sektoradresse (SA) im letzten Buszyklus eingeleitet. Die Block-Löschenoperation wird durch die Durchführung einer Sechsbyte-Befehlsfolge mit Block-Löschenbefehl (30H) und Blockadresse (BA) im letzten Buszyklus eingeleitet. Die Sektor- oder Blockadresse wird auf dem fallenden Rand des 6. WE#-Impulses verriegelt, während der Befehl (50H oder 30H) auf der steigenden Flanke des 6. WE#-Impulses verriegelt wird. Die interne Löschenoperation fängt nach dem 6. WE#-Impuls an. Die Operation Ende-von Erase kann entweder unter Verwendung der Wahl-oder Kippstückchenmethoden Data# entschlossen sein. Siehe Tabellen 9 und 10 für Tim-ing Wellenformen und Abbildung 23 für das Flussdiagramm. Alle mögliche COM mands, die während der Sektor- oder Block-Löschenoperation herausgegeben werden, werden ignoriert. Wenn WP# niedrig ist, wird jeder möglicher Versuch dem Löschen zu des Sektor-(Block) der geschützte Block ignoriert. Während der Befehlsfolge sollte WP# statisch gehaltenes Hoch oder niedrig sein.

 

Löschen-verschieben Sie/Löschen-Zusammenfassungs-Befehle

Die Löschen-Verschiebungsoperation verschiebt vorübergehend eine folglich erlaubende Sektor- oder Block-Löschenoperation, dass Daten von jeder möglicher Speicherstelle oder Programmdaten in irgendeinen Sektor/in Block gelesen werden, der nicht für eine Löschenoperation verschoben wird. Die Operation wird, indem man eine Bytebefehlsfolge mit herausgibt, Löschen-verschieben Befehl (B0H) durchgeführt. Das Gerät kommt automatisch gelesenen Modus gewöhnlich innerhalb 20

µs, nachdem der Löschen-Verschiebungsbefehl herausgegeben worden war. Gültige Daten können von jedem möglichem Sektor oder von Block gelesen werden, der nicht von einer Löschenoperation verschoben wird. Das Ablesen am Adressenplatz innerhalb der Löschen-verschobenen Sektoren/der Blöcke gibt umschaltendes DQ2 und DQ6 an „1" aus. Während herein Modus Löschen-verschieben Sie, wird eine Wort-Programmoperation außer dem Sektor oder dem Block erlaubt, die für Löschen-Verschieben vorgewählt werden.

Zu Sektor-Löschen- oder Block-Löschenoperation wieder aufzunehmen der das System verschoben worden ist muss Löschen-Zusammenfassungsbefehl herausgeben. Die Operation wird durchgeführt, indem man eine Bytebefehlsfolge mit Löschen-Zusammenfassungsbefehl (30H) an jeder möglicher Adresse in der letzten Bytereihenfolge herausgibt.

 

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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