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Parallelspeicher 4Mb IC-Chip-niedrige Reserveleistung 7mW CMOS Bereitschafts-IS61WV25616BLL-10TLI

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Parallelspeicher 4Mb IC-Chip-niedrige Reserveleistung 7mW CMOS Bereitschafts-IS61WV25616BLL-10TLI

China Parallelspeicher 4Mb IC-Chip-niedrige Reserveleistung 7mW CMOS Bereitschafts-IS61WV25616BLL-10TLI fournisseur

Großes Bild :  Parallelspeicher 4Mb IC-Chip-niedrige Reserveleistung 7mW CMOS Bereitschafts-IS61WV25616BLL-10TLI

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: Rosh
Modellnummer: IS61WV25616BLL-10TLI

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Gedächtnis-Art: Flüchtig
Gedächtnisformat: SRAM Technology: SRAM - Asynchron
Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite: 10ns
Zugriffzeit: 10ns Gedächtnisschnittstelle: Ähnlichkeit

 

IS61WV25616BLL-10TLI Gedächtnis IC-Chip SRAM - asynchrone Ähnlichkeit 10ns 44-TSOP II Gedächtnis ICs 4Mb (256K x 16)

 

EIGENSCHAFTEN

HOHE GESCHWINDIGKEIT: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• Hochgeschwindigkeitszugriffzeit: 8, 10, 20 ns

• Niedriges Active Power: 85 mW (typisch)

• Niedrige Reserveleistung: Bereitschaft 7 mW (typischer) CMOS

GERINGE ENERGIE: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• Hochgeschwindigkeitszugriffzeit: 25, 35, 45 ns

• Niedriges Active Power: 35 mW (typisch)

• Niedrige Reserveleistung: 0,6 Bereitschaft mW (typischer) CMOS

• Einzelne Stromversorgung

— VDD 1.65V zu 2.2V (IS61WV25616Axx)

— VDD 2.4V zu 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Völlig statische Operation: keine Uhr oder erneuern erforderliches

• Drei Zustandsertrag

• Speicherverwaltung für die oberen und untereren Bytes

• Industrielle und Automobiltemperaturunterstützung

• Bleifreies verfügbares

FUNKTIONSSANTENDIAGRAMM

BESCHREIBUNG

Das ISSI IS61WV25616Axx/Bxx und IS64WV25616Bxx

, sind 4.194.304 Bit statische RAMs Hochgeschwindigkeits, die als 262.144 Wörter durch 16 Bits organisiert werden. Es wird unter Verwendung leistungsstarker CMOS-Technologie ISSIS fabriziert. Dieses in hohem Grade zuverlässige pro- cess verbunden mit innovativen Schaltplantechniken,

Erträge de- Vizes der leistungsstarker und der geringen Energie Leistungsaufnahme.

 

Wenn CER (abgewählt) HOCH ist, nimmt das Gerät eine Bereitschaftsbetriebsart an, an der die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln unten verringert werden kann.

 

Einfache Speichererweiterung wird von der Anwendung von Signalfreigabe eines Bausteins zur Verfügung gestellt und Ertrag ermöglichen Input, CER und OE. Das aktive TIEF schreiben ermöglichen (WE)-Kontrollen Schreiben und Lesung des Gedächtnisses. Ein Datenbyte erlaubt oberes Byte (UB) und niedrigeren Byte (LB)-Zugang.

 

Die IS61WV25616Axx/Bxx und die IS64WV25616Bxx werden in der Art II Stift TSOP JEDEC-Standards 44 verpackt und 48 stecken Mini-BGA fest (6mm x 8mm).

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DCs (über Betriebsbereich)

VDD = 3.3V + 5%

 

Symbol Parameter Testbedingungen Min. Maximum. Einheit
VOH- Ertrag-Hochspannung VDD = Min., IOH- = – 4,0 MA 2,4 V
VOL Ertrag-Niederspannung VDD = Min., IOL = 8,0 MA 0,4 V
VIH Input-Hochspannung   2 VDD + 0,3 V
VIL Input-Niederspannung (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Input-Durchsickern BODEN-£ VIN £ VDD – 1 1 µA
ILO Ertrag-Durchsickern Boden-£ VHERAUS £ VDD, Ertrag gesperrt – 1 1 µA

Anmerkung:

1. VIL (min.) = – DC 0.3V; VIL (min.) = – Wechselstrom 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">

VIH (Maximum) = V DCDD + 0.3V; VIH (Maximum) = V WechselstromDD + 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">

 

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DCs (über Betriebsbereich)

VDD = 2.4V-3.6V

 

Symbol Parameter Testbedingungen Min. Maximum. Einheit
VOH- Ertrag-Hochspannung VDD = Min., IOH- = – 1,0 MA 1,8 V
VOL Ertrag-Niederspannung VDD = Min., IOL = 1,0 MA 0,4 V
VIH Input-Hochspannung   2,0 VDD + 0,3 V
VIL Input-Niederspannung (1)   – 0,3 0,8 V
ILI Input-Durchsickern BODEN-£ VIN £ VDD – 1 1 µA
ILO Ertrag-Durchsickern Boden-£ VHERAUS £ VDD, Ertrag gesperrt – 1 1 µA

Anmerkung:

1. VIL (min.) = – DC 0.3V; VIL (min.) = – Wechselstrom 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">

VIH (Maximum) = V DCDD + 0.3V; VIH (Maximum) = V WechselstromDD + 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">

 

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN DCs (über Betriebsbereich)

VDD = 1.65V-2.2V

 

Symbol Parameter Testbedingungen VDD Min. Maximum. Einheit
VOH- Ertrag-Hochspannung IOH- = -0,1 MA 1.65-2.2V 1,4 V
VOL Ertrag-Niederspannung IOL = 0,1 MA 1.65-2.2V 0,2 V
VIH Input-Hochspannung   1.65-2.2V 1,4 VDD + 0,2 V
VIL (1) Input-Niederspannung   1.65-2.2V – 0,2 0,4 V
ILI Input-Durchsickern BODEN-£ VIN £ VDD – 1 1 µA
ILO Ertrag-Durchsickern Boden-£ VHERAUS £ VDD, Ertrag gesperrt – 1 1 µA

Anmerkung:

1. VIL (min.) = – DC 0.3V; VIL (min.) = – Wechselstrom 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">

VIH (Maximum) = V DCDD + 0.3V; VIH (Maximum) = V WechselstromDD + 2.0V (Impulsbreite < 10="" ns="">

WECHSELSTROM-TESTBEDINGUNGEN

 

Parameter Einheit Einheit Einheit
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
Input-Aufstieg und Abfallzeiten 1V/ ns 1V/ ns 1V/ ns
InputandOutputTiming-andReferenceLevel (v-Hinweis) 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad Siehe Tabellen 1 und 2 Siehe Tabellen 1 und 2 Siehe Tabellen 1 und 2

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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