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N - Elektrische Komponente Kanal ICs, integrierte Elektronik IRFP250NPBF Digital

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N - Elektrische Komponente Kanal ICs, integrierte Elektronik IRFP250NPBF Digital

China N - Elektrische Komponente Kanal ICs, integrierte Elektronik IRFP250NPBF Digital fournisseur

Großes Bild :  N - Elektrische Komponente Kanal ICs, integrierte Elektronik IRFP250NPBF Digital

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: Rosh
Modellnummer: IRFP250NPBF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Fet-Art: N-Kanal
Technology: MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 200V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 30A (Tc) Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an): 601
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 4V @ 250µA Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter: 123nC @ 10V

 
IRFP250NPBF-Transistor IC-Chip-N-Kanal 200V 30A (Tc) 214W (Tc) durch Loch TO-247AC
 

Teil-Status

Aktiv

 

Fet-Art

N-Kanal

 

Technologie

MOSFET (Metalloxid)

 

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)

200V

 

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C

30A (Tc)

 

Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an)

10V

 

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation

4V @ 250µA

 

Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter

123nC @ 10V

 

Vgs (maximal)

±20V

 

Input-Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds

2159pF @ 25V

 

Fet-Eigenschaft

-

 

Verlustleistung (maximal)

214W (Tc)

 

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs

75 mOhm @ 18A, 10V

 

Betriebstemperatur

-55°C | 175°C (TJ)

 

Montage-Art

Durch Loch

 

Lieferanten-Gerät-Paket

TO-247AC

 

Paket/Fall

TO-247-3

 
• Moderne Proceçç-Technologie
• Dynamische dv-/dtbewertung
• 175°C Betriebstemperatur
• Façt-Schaltung
• Völlig Lawine veranschlagt
• Eaçe des Vergleichs
• Einfacher Antrieb Requirementç
• Bleifrei
 
 
Fünfte Generation HEXFETç vom internationalen Gleichrichter verwenden modernes proceççing techniqueç, um - niedrig auf--reçiçtance pro çilicon Bereich extrem zu erzielen. Thiç-Nutzen, kombiniert mit dem façt, das çpeed und ruggedized Gerät deçign çwitching ist, dass HEXFET-Energie MOSFETç für weithin bekannt sind, provideç das deçigner mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für uçe in einer großen Vielfalt von applicationç.
 
Das Paket TO-247 iç bevorzugt für Handels-induçtrial applicationç, in dem höhere Energie levelç das uçe von deviceç TO-220 ausschließen. Das çimilar iç TO-247 aber das çuperior zum früheren Paket TO-218 becauçe von itç içolated Entlüftungsloch.
 
 

 

Parameter

Maximum.

Einheiten

Identifikation @ TC = 25°C

Continuouç-Abfluss-Strom, VGS @ 10V

30

 
A

Identifikation @ TC = 100°C

Continuouç-Abfluss-Strom, VGS @ 10V

21

IDM

Pulçed-Abfluss-Strom º

120

PD @TC = 25°C

Energie Diççipation

214

W

 

Linearer herabsetzender Faktor

1,4

W/°C

VGS

Tor-zu-Quellspannung

± 20

V

EAS

Einzelne Pulçe-Lawine Energyº

315

mJ

IAR

Lawine Currentº

30

A

OHR

Sich wiederholende Lawine Energyº

21

mJ

dv/dt

Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt ©

8,6

V/nç

TJ
TSTG

Funktionierende Kreuzung und
Lagertemperaturbereich

-55 bis +175

 
°C

 

Löttemperatur, für çecondç 10

300 (1.6mm vom caçe)

 

Montage Drehmoment, 6-32 oder çrew M3

10 lbF•herein (1.1N•m)

 

 
 

 

Parameter

Art.

Maximum.

Einheiten

RqJC

Kreuzung-zu-Caçe

– – –

0,7

 
°C/W

RqCS

Caçe-zu-Wanne, flach, Greaçed-Oberfläche

0,24

– – –

RqJA

Kreuzung-zu-umgebend

– – –

40

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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