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P - Kanal FET-Art Transistor der integrierten Schaltung, Ausrüstung IRF9640PBF RoHS der integrierten Schaltung genehmigte

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P - Kanal FET-Art Transistor der integrierten Schaltung, Ausrüstung IRF9640PBF RoHS der integrierten Schaltung genehmigte

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Großes Bild :  P - Kanal FET-Art Transistor der integrierten Schaltung, Ausrüstung IRF9640PBF RoHS der integrierten Schaltung genehmigte

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: Rosh
Modellnummer: IRF9640PBF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Fet-Art: P-Kanal
Technology: MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 200V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 11A (Tc) Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an): 601
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 4V @ 250µA Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter: 44nC @ 10V

 

IRF9640PBF-Transistor IC-Chip-P-Kanal 200V 11A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB

 

Teil-Status Aktiv  
Fet-Art P-Kanal  
Technologie MOSFET (Metalloxid)  
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 200V  
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 11A (Tc)  
Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an) 10V  
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA  
Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter 44nC @ 10V  
Vgs (maximal) ±20V  
Input-Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1200pF @ 25V  
Fet-Eigenschaft -  
Verlustleistung (maximal) 125W (Tc)  
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 500 mOhm @ 6.6A, 10V  
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)  
Montage-Art Durch Loch  
Lieferanten-Gerät-Paket TO-220AB  
Paket/Fall TO-220-3

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Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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