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Aktiver Teil-Status-Transistor IC-Chip-Abfluss zur Quellspannung 200V IRF640N

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Aktiver Teil-Status-Transistor IC-Chip-Abfluss zur Quellspannung 200V IRF640N

China Aktiver Teil-Status-Transistor IC-Chip-Abfluss zur Quellspannung 200V IRF640N fournisseur

Großes Bild :  Aktiver Teil-Status-Transistor IC-Chip-Abfluss zur Quellspannung 200V IRF640N

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: Rosh
Modellnummer: IRF640N

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Fet-Art: N-Kanal
Technology: MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 200V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 18A (Tc) Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an): 601
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 4V @ 250µA Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter: 67nC @ 10V

 

IRF640N-Transistor IC-Chip-N-Kanal 200V 18A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220AB

 

Teil-Status Aktiv  
Fet-Art N-Kanal  
Technologie MOSFET (Metalloxid)  
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 200V  
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 18A (Tc)  
Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an) 10V  
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 4V @ 250µA  
Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter 67nC @ 10V  
Vgs (maximal) ±20V  
Input-Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1160pF @ 25V  
Fet-Eigenschaft -  
Verlustleistung (maximal) 150W (Tc)  
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 150 mOhm @ 11A, 10V  
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)  
Montage-Art Durch Loch  
Lieferanten-Gerät-Paket TO-220AB  
Paket/Fall TO-220-3

 

Energie MOSFETs ifth Generations-HEXFET® vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, dass HEXFET-Energie MOSFETs für weithin bekannt sind, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.

 

Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei.

Das D2Pak ist ein Oberflächenbergenergiepaket, das zu zuvorkommendem fähig ist, sterben Größen bis zu HEX-4. Es liefert die Fähigkeit der höchsten Energie und den niedrigsten möglichen auf- Widerstand in jedem vorhandenen Oberflächenbergpaket. Das D2Pak ist für hohe gegenwärtige Anwendungen wegen seines niedrigen internen Verbindungswiderstands passend und kann sich bis zu 2.0W in einer typischen Oberflächenberganwendung zerstreuen.

Die Durchlochversion (IRF640NL) ist für niedrig- verfügbar.

  Parameter Maximum. Einheiten
ID @ TC = 25°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 18

 

A

ID @ TC = 100°C Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V 13
IDM Pulsiertes Abfluss-Strom º 72
@T PDC = 25°C Verlustleistung 150 W
  Linearer herabsetzender Faktor 1,0 W/°C
VGS Tor-zu-Quellspannung ± 20 V
EAS Einzelimpuls-Lawine Energyº 247 mJ
IAR Lawine Currentº 18 A
OHR Sich wiederholende Lawine Energyº 15 mJ
dv/dt Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt ® 8,1 V/ns

TJ

TSTG

Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich -55 bis +175

 

°C

  Löttemperatur, für 10 Sekunden 300 (1.6mm vom Fall)
  Montage Drehmoment, 6-32 oder srew® M3 10 lbF•herein (1.1N•m)  

 

  Parameter Min. Art. Maximum. Einheiten Bedingungen
V (BR) DSS Abfluss-zu-Quelldurchbruchsspannung 200 – – – – – – V VGS = 0V, ID = 250µA
DV (BR) DSS/DTJ Durchbruchsspannung Temp. Koeffizient – – – 0,25 – – – V/°C Hinweis auf 25°C, ID = 1mA
RDS (an) Statischer Abfluss-zu-Quellauf-widerstand – – – – – – 0,15 W VGS = 10V, © ID = 11A
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung 2,0 – – – 4,0 V VDS = VGS, ID = 250µA
gfs Vorwärtstransconductance 6,8 – – – – – – S VDS = 50V, © ID = 11A
IDSS Abfluss-zu-Quelldurchsickern-Strom – – – – – – 25 µA VDS = 200V, VGS = 0V
– – – – – – 250 VDS = 160V, VGS = 0V, TJ = 150°C
IGSS Tor-zu-Quelle schicken Durchsickern nach – – – – – – 100 Na VGS = 20V
Tor-zu-Quellrückdurchsickern – – – – – – -100 VGS = -20V
Qg Gesamttor-Gebühr – – – – – – 67

 

nC

ID = 11A VDS = 160V

V sehenGS = 10V, Abb. 6 und 13

Qgs Tor-zu-Quellgebühr – – – – – – 11
Qgd Gebühr des Tor-zu-Abfluss-(„Miller“) – – – – – – 33
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit – – – 10 – – –

 

ns

VDD = 100V ID = 11A RG = 2.5W

RD = 9.0W, sehen Abb. 10 ©

tr Anstiegszeit – – – 19 – – –
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit – – – 23 – – –
tf Abfallzeit – – – 5,5 – – –
LD Interne Abfluss-Induktanz – – – 4,5 – – –  

Zwischen Führung D

6mm (0.25in.)

von Paket G

und Mitte von sterben Kontakt S

LS Interne Quellinduktanz – – – 7,5 – – – NH
Ciss Input-Kapazitanz – – – 1160 – – –

 

 

PF

VGS = 0V VDS = 25V

ƒ = 1.0MHz, sehen Abb. 5

Coss Ausgangskapazität – – – 185 – – –
Crss Rückübergangskapazitanz – – – 53 – – –

 

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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