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Strom der CSD19506KCS-Transistor-Komponenten-100A - ununterbrochener Abfluss TO-220-3

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Strom der CSD19506KCS-Transistor-Komponenten-100A - ununterbrochener Abfluss TO-220-3

China Strom der CSD19506KCS-Transistor-Komponenten-100A - ununterbrochener Abfluss TO-220-3 fournisseur

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Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: RoHS
Modellnummer: CSD19506KCS

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Fet-Art: N-Kanal
Technology: MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 80v
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 100A (Ta) Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an): 6V, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 3.2V @ 250µA Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter: 156nC @ 10V

 

IC-Chip-N-Kanal 80V 100A (Ta) 375W (Tc) CSD19506KCS-integrierter Schaltung durch Loch TO-220-3

 

Teil-Status Aktiv  
Fet-Art N-Kanal  
Technologie MOSFET (Metalloxid)  
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 80V  
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 100A (Ta)  
Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an) 6V, 10V  
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 3.2V @ 250µA  
Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter 156nC @ 10V  
Vgs (maximal) ±20V  
Input-Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 12200pF @ 40V  
Fet-Eigenschaft -  
Verlustleistung (maximal) 375W (Tc)  
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 2,3 mOhm @ 100A, 10V  
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)  
Montage-Art Durch Loch  
Lieferanten-Gerät-Paket TO-220-3  
Paket/Fall TO-220-3

 

TA = 25°C TYPISCHER WERT EINHEIT
VDS Abfluss-zu-Quellspannung 80 V
Qg Tor-Gebührensumme (10 V) 38 nC
Qgd Tor-Gebührentor zum abzulassen 5,8 nC
RDS (an)

 

Abfluss-zu-Quelle auf Widerstand

VGS = 6 V 6,2 mΩ
VGS = 10 V 5,5 mΩ
VGS (Th) Schwellen-Spannung 2,6 V

 

TA = 25°C WERT EINHEIT
VDS Abfluss-zu-Quellspannung 80 V
VGS Tor-zu-Quellspannung ±20 V

 

 

ID

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Paket begrenzt) 100

 

 

A

Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon begrenzt), TC = 25°C 129
Ununterbrochener Abfluss-Strom (Silikon begrenzt), TC = 100°C 91
IDM Pulsierter Abfluss-Strom 146 A
PD Verlustleistung 217 W
TJ, TSTG Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich – 55 bis 175 °C
EAS Lawinen-Energie, Einzelimpuls ID = 65 A, L = 0,1 mH, RG = Ω 25 211 mJ

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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