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Spannungs-Kollektor-Emitter Zusammenbruch 2N5401 PNP-Transistor IC-Chip-150V

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Spannungs-Kollektor-Emitter Zusammenbruch 2N5401 PNP-Transistor IC-Chip-150V

China Spannungs-Kollektor-Emitter Zusammenbruch 2N5401 PNP-Transistor IC-Chip-150V fournisseur

Großes Bild :  Spannungs-Kollektor-Emitter Zusammenbruch 2N5401 PNP-Transistor IC-Chip-150V

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: RoHS
Modellnummer: 2N5401

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Veraltet Transistorart: PNP
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 150V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 500mV @ 5mA, 50mA Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 60 @ 10mA, 5V Macht- maximales: 625Mw

 
Transistor 2N5401 IC-Chip-zweipoliger (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 300MHz 625mW durch Loch TO-92-3
 

Teil-Status Veraltet  
Transistor-Art PNP  
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 600mA  
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 150V  
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC 500mV @ 5mA, 50mA  
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal) 50nA (ICBO)  
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce 60 @ 10mA, 5V  
Macht- maximales 625mW  
Frequenz - Übergang 300MHz  
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)  
Montage-Art Durch Loch  
Paket/Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Lieferanten-Gerät-Paket TO-92-3  
Niedrige Teilnummer 2N5401

 

MAXIMALLEISTUNGEN

 

Veranschlagen Symbol 2N5400 2N5401 Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 120 150 VDC
Kollektor-Basis-Spannung VCBO 130 160 VDC
Emitter-niedrige Spannung VEBO 5,0 VDC
Kollektorstrom — ununterbrochen IC 600 mAdc
Gesamtgerät-Ableitung @ TA = 25°C setzen über 25°C herab PD

625

5,0

mW mW/°C
Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C setzen über 25°C herab PD

1,5

12

Watt mW/°C
Betrieb und Speichergrenzschichttemperatur-Strecke TJ, Tstg – 55 bis +150 °C

THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
 

Charakteristisch Symbol Maximal Einheit
Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem R JA 200 ° C/W
Thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall R JC 83,3 ° C/W

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Charakteristisch Symbol Minute Maximal Einheit

WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN

 

Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (1)

(IC = 1,0 mAdc, IB = 0) 2N5400

2N5401

(BR) CEO V

 

120

150

 

VDC

Kollektor-Basis Durchbruchsspannung

(IC = ADC 100, IE = 0) 2N5400

2N5401

V (BR) CBO

 

130

160

 

VDC
Emitter-niedrige Durchbruchsspannung (IE = 10 ADC, IC = 0) V (BR) EBO 5,0 VDC

Kollektor-Reststrom

(VCB = 100 VDC, IE = 0) 2N5400

(VCB = 120 VDC, IE = 0) 2N5401

(VCB = 100 VDC, IE = 0, TA = 100°C) 2N5400

(VCB = 120 VDC, IE = 0, TA = 100°C) 2N5401

ICBO

 



 

100

50

100

50

 

nAdc
 

mAdc

Emitter-Reststrom (VEB = 3,0 VDC, IC = 0) IEBO 50 nAdc

1. Impuls-Test: Impuls-Breite = 300 s, Arbeitszyklus = 2,0%.

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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