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der Energie-625mW maximale Transistor-Art Stromabnehmer Transistor IC-Chip-PNP 2N3906 200mA

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der Energie-625mW maximale Transistor-Art Stromabnehmer Transistor IC-Chip-PNP 2N3906 200mA

China der Energie-625mW maximale Transistor-Art Stromabnehmer Transistor IC-Chip-PNP 2N3906 200mA fournisseur

Großes Bild :  der Energie-625mW maximale Transistor-Art Stromabnehmer Transistor IC-Chip-PNP 2N3906 200mA

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: Original Manufacturer
Zertifizierung: RoHS
Modellnummer: 2N3906

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: Negotiation
Verpackung Informationen: Originalverpackung
Lieferzeit: Auf Lager
Zahlungsbedingungen: TT, Paypal, Western Union und so weiter
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 80000
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teil-Status: Active Transistorart: PNP
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 40V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 400mV @ 5mA, 50mA Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 100 @ 10mA, 1V Macht- maximales: 625Mw

 
Transistor 2N3906 IC-Chip-zweipoliger (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 625mW durch Loch TO-92-3
 

Teil-Status Aktiv  
Transistor-Art PNP  
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 200mA  
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 40V  
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC 400mV @ 5mA, 50mA  
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal) -  
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce 100 @ 10mA, 1V  
Macht- maximales 625mW  
Frequenz - Übergang 250MHz  
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)  
Montage-Art Durch Loch  
Paket/Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Lieferanten-Gerät-Paket TO-92-3  
Niedrige Teilnummer 2N3906

 

MAXIMALLEISTUNGEN
 

Veranschlagen Symbol Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 40 VDC
Kollektor-Basis-Spannung VCBO 40 VDC
Emitter-niedrige Spannung VEBO 5,0 VDC
Kollektorstrom — ununterbrochen IC 200 mAdc
Gesamtgerät-Ableitung @ TA = 25°C setzen über 25°C herab PD

625

5,0

mW mW/°C
Gesamtleistungs-Ableitung @ TA = 60°C PD 250 mW
Gesamtgerät-Ableitung @ TC = 25°C setzen über 25°C herab PD

1,5

12

Watt mW/°C
Betrieb und Speichergrenzschichttemperatur-Strecke TJ, Tstg – 55 bis +150 °C

THERMISCHE EIGENSCHAFTEN (1)
 

Charakteristisch Symbol Maximal Einheit
Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem R JA 200 ° C/W
Thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall R JC 83,3 ° C/W

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Charakteristisch Symbol Minute Maximal Einheit

WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN

 

Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (2) (IC = 1,0 mAdc, IB = 0) (BR) CEO V 40 VDC
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung (IC = ADC 10, IE = 0) V (BR) CBO 40 VDC
Emitter-niedrige Durchbruchsspannung (IE = 10 ADC, IC = 0) V (BR) EBO 5,0 VDC

Niedriger Reststrom

(VCE = 30 VDC, VEB = 3,0 VDC)

IBL 50 nAdc

Kollektor-Reststrom

(VCE = 30 VDC, VEB = 3,0 VDC)

ICEX 50 nAdc

1. Zeigt Daten zusätzlich zu JEDEC-Anforderungen an.

2. Impuls-Test: Impuls-Breite 300 s; Arbeitszyklus 2,0%.

Kontaktdaten
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

Ansprechpartner: Cary

Telefon: +8613760106370

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